在Si,Ge,GaAs中,直接带隙半导体是____。
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发布时间：2024-10-12 12:11:05
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相关试题
- 1.在Si,Ge,GaAs中,直接带隙半导体是____。
- 2.Si,Ge,GaAs是最基本的三种半导体材料。()
- 3.化合物半导体材料大多是直接带隙半导体材料，光吸收系数较高。
- 4.在纯Si中掺入下列元素，Si将变为n型半导体。
- 5.下面属于直接带隙材料的有（ ）。
- 6.在硅(Si)单晶中掺入硼，可形成n型半导体；掺入磷(P)，可形成p型半导体。
- 7.Le siège de l'ONU à Genève se trouve au Palais des Nations.
- 8.P型半导体中由于多数载流子是空穴，所以带正电。
- 9.N型半导体中由于多数载流子是电子，所以带负电。
- 10.在西语中，[ga] [ge] [gi] [go] [gu]的书写形式分别为：ga，ge，gi，go，gu。
