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单晶硅生长中,硅锭掺杂方法主要有( )。
A、固相掺杂
B、液相掺杂
C、气相掺杂
D、中子嬗变掺杂
发布时间:
2023-09-27 10:46:55
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1.
单晶硅生长中,硅锭掺杂方法主要有( )。
2.
在单晶硅中掺杂如下何种元素可以提高其电导率( )。
3.
单晶硅的制备中,单晶硅锭不需要经过切片、磨片、抛光和检验等工艺制备成集成电路使用的衬底材料——硅片。
4.
以下哪个元素可进行硅掺杂形成N型半导体( )。
5.
462.硅基太阳能电池板有单晶硅太阳能电池板、多晶硅太阳能电池板以及非晶硅太阳能电池板等。通常情况其光电转换效率最高的是单晶硅太阳能电池板,光电转换效率最低的是非晶硅太阳能电池板。
6.
和单晶硅太阳电池相比,同样标称功率的非晶硅薄膜电池年发电量( )。
7.
1954年,美国( )实验室研制出第一片掺杂的硅太阳能电池,其转换效率高达6%。
8.
异质元素掺杂改性硅基前驱体陶瓷具有更为优异的性能,其原因包括( )。
9.
利用定向凝固原理铸造多晶硅锭的方法包括那些:( )。
10.
在半导体中掺入微量的有用杂质,制成掺杂半导体。掺杂半导体有()。
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