薄膜的致密件不是由淀积过程中的衬底工艺温度决定的。
A、正确
B、错误
发布时间：2023-09-27 10:43:00
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- 1.薄膜的致密件不是由淀积过程中的衬底工艺温度决定的。
- 2.采用真空蒸镀工艺淀积薄膜，应从（ ）入手来确定具体工艺参数和工艺方法。
- 3.APCVD工艺主要用于（ ）薄膜的制备.通常采用可以连续供片的设备进行淀积。
- 4.从整个蒸镀过程来看，真空室内的（ ）是所淀积薄膜纯度、致密度高低的关键。
- 5.影响化学气相淀积速率的因素除了温度、反应剂浓度之外，化学气相淀积方法、淀积设备种类和反应室结构类型等也对淀积速率有很大影响。
- 6.非晶硅薄膜电池的衬底可以是：（ ）。
- 7.将源材料各组成成分放入多个坩埚同时加热蒸发来淀积某种合金薄膜的是（ ）方法。
- 8.偏压溅射是改善溅射淀积形成的薄膜组织及性能的最常用，而且也是最有效的方法之一。
- 9.溅射是最早用于金属薄膜制备工艺的PVD方法,曾长期作为微电子分立器件内由极和集成电路互连布线的金属薄膜的制备工艺。
- 10.被吸附的（ ）和含硅原子团发生表面化学反应，生成的硅原子在对底上聚集。连接成片。被后续硅原子覆盖成为淀积薄膜。
